首爾偉傲世與加州大學UCSB研究微縮後Micro LED的特性變化

首爾半導體其下首爾偉傲世與美國加州大學聖塔芭芭拉分校(University of California, Santa Barbara,UCSB)組團共同發表了一項研究,探討尺寸微縮到1-10μm後,Micro LED的特性變化。

Micro LED的外量子效率(EQE)通常會隨著尺寸縮小而降低,這成為Micro LED技術開發的一個難題。為了進一步瞭解外量子效率與晶片尺寸之間的關係,首爾偉傲世與USCB的研究小組聚焦在尺寸小至1μm的Micro LED,對比藍色和綠色InGaN Micro LED外量子效率的變化趨勢。

研究小組指出,他們採用現有的標準半導體製造技術來開發用於研究的尺寸小至1μm的InGaN Micro LED。經過對比藍色和綠色InGaN Micro LED,發現當尺寸小於10μm時,綠色LED的效率高於藍色LED,這表明綠色LED的外量子效率受尺寸影響較小。


圖片來源:Smith et al. 2020

基於此研究結果,首爾偉傲世及USCB還提出,製造更小尺寸的全彩化Micro LED設備或許可以採用紅色InGaN Micro LED。同時,研究小組希望通過提高亮度和可靠性等因素能夠促使更小尺寸的InGaN Micro LED應用於智慧手機、AR眼鏡及4K電視等高階顯示領域。

此外,研究團隊還聲稱,這是首次針對尺寸小於5μm Micro LED外量子效率變化趨勢進行的研究。研究結果在2020年2月1日發表於《應用物理快報》(Applied Phyics Letter)上,標題為《直徑小至1μm的藍色和綠色InGaN Micro LED的尺寸相關特性對比》(Comparison of size-dependent characteristics of blue and green InGaN microLEDs down to 1μm in diameter)。(編譯:LEDinside Janice)

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