據外媒報導，由武漢大學周聖軍教授帶領的研究團隊在藍寶石襯底上開發了高效GaN基綠光LED。研究團隊建議採用由濺射AIN（Sputtered AlN）及中溫GaN器件組成的混合成核層（Hybrid Nucleation Layer），以提高GaN基綠光LED的量子效率。

（Source：武漢大學）

目前，在完全可見光範圍內開發高效III族氮化物發射器極具吸引力，而多種色彩III族氮化物發射器的融合可實現高效、精準的混合光譜管理，進而製造出高解析度的顯示器和各種智慧照明應用，但目前主要的障礙是III族氮化物發射器在綠色到黃褐色光譜區域的效率不佳。

為此，武漢大學研究者採用新型混合成核層，在藍寶石襯底上製造高效InGaN/GaN綠光LED。在生產過程中，混合成核層及GaN表面會生成一個層錯帶結構（Stacking Fault Structure），有助於實現熱錯配應力補償（Misfit Stress Compensation）。

得益於最開始的熱錯配應力緩和，錯位密度（Disloaction Density）和綠光LED中的殘餘應力（Residual Stress）有所降低。因此，在大規模量產過程中，研究團隊將效率提升了約16%。

武漢大學研究團隊表示，對於在綠色到黃褐色區域實現高效的III族氮化物發射器，混合成核層的應用前景十分可期。

（LEDinside Janice編譯）