GaN 基綠光 LED 效率提升 16%!武大團隊取得技術突破

據外媒報導,由武漢大學周聖軍教授帶領的研究團隊在藍寶石襯底上開發了高效GaN基綠光LED。研究團隊建議採用由濺射AIN(Sputtered AlN)及中溫GaN器件組成的混合成核層(Hybrid Nucleation Layer),以提高GaN基綠光LED的量子效率。

(Source:武漢大學)


目前,在完全可見光範圍內開發高效III族氮化物發射器極具吸引力,而多種色彩III族氮化物發射器的融合可實現高效、精準的混合光譜管理,進而製造出高解析度的顯示器和各種智慧照明應用,但目前主要的障礙是III族氮化物發射器在綠色到黃褐色光譜區域的效率不佳。

為此,武漢大學研究者採用新型混合成核層,在藍寶石襯底上製造高效InGaN/GaN綠光LED。在生產過程中,混合成核層及GaN表面會生成一個層錯帶結構(Stacking Fault Structure),有助於實現熱錯配應力補償(Misfit Stress Compensation)。

得益於最開始的熱錯配應力緩和,錯位密度(Disloaction Density)和綠光LED中的殘餘應力(Residual Stress)有所降低。因此,在大規模量產過程中,研究團隊將效率提升了約16%。

武漢大學研究團隊表示,對於在綠色到黃褐色區域實現高效的III族氮化物發射器,混合成核層的應用前景十分可期。

(LEDinside Janice編譯)

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