蘇州晶湛半導體有限公司（簡稱晶湛半導體）8日發表Micro LED顯示產業應用的全彩系列外延片產品Full Color GaN®，新品外延片尺寸成功拓展至300mm。

據晶湛半導體介紹，Full Color GaN®是矽基氮化鎵（GaN-on-Si）外延片，有更大的晶圓尺寸（200~300mm）和更佳表面品質，對提升LED晶元良率有獨特優勢。透過採用200 / 300mm FAB先進矽基晶片製程，外延片可製備高性能微型（5μm2）Micro LED畫素陣列，並可與Si CMOS驅動高良率混合整合。

透過採用應力工程和極化工程等專利技術，晶湛半導體Full Color GaN®全彩系列產品成功克服外延生長高效率紅光LED難題。

晶湛半導體Full Color GaN®全彩系列產品。

晶湛半導體指出，波長均勻性是實現Micro LED顯示的關鍵因素，Full Color GaN®全彩系列產品在整個200mm晶圓有出色波長均勻性（下圖），且藍光LED晶圓尺寸最大可到300mm，並有優異波長均勻性，全片標準偏差小於2奈米（下下圖）。

晶湛半導體200mm Full Color GaN®全彩系列LED外延片波長分布圖。

晶湛半導體300mm矽基氮化鎵藍光LED外延片波長分布圖。

缺陷密度方面，晶湛半導體表示Full Colar GaN®系列產品表面缺陷密度可控制在0.1/c㎡內，即使圖元尺寸微縮至2×2μm（陣列：100×100），所有圖元點依然都可點亮。

基於Full Color GaN®全彩系列外延片開發的Micro LED陣列，尺寸左起：50μm、15μm、5μm、2μm。

晶湛半導體創始人兼總裁程凱博士表示，對Micro LED單片整合而言，將RGB三種顏色整合到氮化鎵單一材料平台非常關鍵。Full Color GaN®全彩系列外延片將初步滿足業界對AR / MR系統的要求。300mm矽基氮化鎵外延片將推動GaN光電器件、GaN電子器件與矽器件的異構整合發展，有寬廣的應用前景。

晶湛半導體成立於2012年3月，擁有先進氮化鎵外延材料研發和產業化基地，致力為電力電子、射頻電子及微顯示等領域提供高品質氮化鎵外延材料解決方案。

除應用微顯示的外延片取得研發進展外，2021年應用功率器件的GaN外延片方面，晶湛半導體成功攻克12吋（300mm）無裂紋GaN-on-Si外延技術，成功涵蓋200V、650V、1200V等擊穿電壓應用場景需求，厚度不均勻度減少至0.3%，晶圓翹曲Bow<50μm，為GaN-on-Si外延片導入更加成熟精密的12吋（300mm）CMOS製程線鋪路。

3月晶湛半導體宣佈完成B+輪數億元戰略融資，由歌爾股份控股子公司歌爾微電子領投，高瓴創投、惠友資本、創新工廠等企業加碼跟投。本輪融資資金將用於晶湛半導體總部和研發中心建設。（來源：晶湛半導體、LEDinside整理）