近日，晶能光電發布12英吋矽襯底InGaN基紅、綠、藍全系列三基色Micro LED外延技術成果。

▲ 晶能光電展示12英吋矽襯底紅、綠、藍光InGaN基LED外延片快檢EL點亮效果。

據悉，晶能光電創立於2006年，是具有底層晶片核心技術的全產業鏈IDM半導體光電產品供應商，為全球客戶提供高品質的LED（外延、晶片、封裝和模組）光源和感知感測器件產品和解決方案。

基於近20年的矽襯底GaN基LED技術和產業化積累，晶能光電早在2020年便推出8英吋矽襯底InGaN紅光外延技術，目前仍在持續研發以提升InGaN紅光光效。

2021年9月，晶能光電成功製備像素點間距為25微米、像素密度為1,000PPI的矽襯底InGaN紅、綠、藍三基色Micro LED陣列。 目前，像素點間距這一重要技術指標已縮至8微米。

2022年，晶能光電突破8吋矽襯底InGaN基三基色Micro LED外延關鍵技術，並成功製備5微米pitch的Micro LED三基色陣列，積極布局新興市場。

晶能光電表示，受成本和良率的驅動，向大尺寸晶圓升級已是Micro LED產業化的確定發展趨勢，這也契合公司在矽襯底GaN基LED技術領域的持續創新追求。 大尺寸晶圓不僅可以大幅度提高Micro LED外延片和CMOS背板的利用率，並且更利於相容成熟的矽IC設備及製程，提高Micro LED製程效率、降低成本，加速Micro LED技術的商用進程。

據晶能光電副總裁付羿博士介紹，大尺寸矽襯底Micro LED外延生長對GaN晶體品質、外延翹曲、外量子效率、光電一致性和InGaN紅光MQW等關鍵技術開發帶來更嚴苛的挑戰。

此次12英吋矽襯底InGaN基紅、綠、藍三基色Micro LED產業化外延技術的發布，表明晶能光電利用其矽襯底GaN基LED技術不斷的創新反覆運算能力，已經初步攻克上述關鍵技術挑戰，為後續技術和製程的優化和完善鋪平了道路。

晶能光電進一步表示，蘋果在今年推出Vision Pro，給全球AR/VR行業帶來更高的熱度，但Vision Pro不會是終點，人們對輕便、高效的可穿戴顯示技術的期待越來越熱切，這將大大推動各種微顯技術的創新和應用。

基於大尺寸矽襯底的Micro LED製程路線在成本、良率和光效上極具潛力，有望成為微米級Micro LED的主流產業化路線，12英吋矽襯底三基色Micro LED外延技術的突破，將在這一方向上有力推動Micro LED顯示技術向前發展。

（ LEDinside整理）