今年5月，德國MOCVD設備商愛思強宣布擬投資興建新的創新研發中心，為已在準備的下一代產品及未來其他新產品提供更充足的生產能力，提升半導體沉積設備的研發能力。近日該項目迎來新的進度。

11月23日，愛思強宣布，創新研發中心在德國黑措根拉特（Herzogenrath）總部正式開始建設，項目總投資約1億歐元，項目包含1000㎡的潔淨室空間以及相關計量設備所需的額外空間。其中，無塵室的潔淨程度可達到ISO 6級別，最高可提升至ISO 4級別。

▲ 愛思強創新研發中心。（Source：愛思強）
 

研究中心將採用業界最新設施與技術進行MOCVD設備研發工作。第一批設備系統將於2024年下半年搬入研發中心內，預計2025年初工程正式完成移交。

愛思強方面表示，該公司近期成功發布了G10新品系列，已獲得非常高的客戶需求訂單，因此公司正處於產量提升階段。目前，公司已進入了下一代產品的研發中，新的創新中心將為公司團隊提供了研發下一代產品的能力。

據悉，愛思強近年來持續加強對MOCVD技術及產品的研發投入。今年，愛思強相繼發布了G10新品系列，包括用於SiC電力電子裝置生產的G10-SiC設備，用於Micro LED和雷射元件生產的G10-AsP以及用於GaN裝置大規模生產的G10-GaN裝置。

新設備效能的大幅提升，讓其獲得多個新舊客戶的訂單，愛思強業績也獲得提升。今年第三季，在GaN和SiC應用領域高需求以及新產品G10-GaN推出的帶動下，愛思強實現營收1.65億歐元，年增86%；息稅前利潤率從Q2的26%成長至27%；毛利率提升至46%。

未來創新研發中心的建成，將進一步提升愛思強研發能力，提升設備新品性能，推動其在第三代半導體、Micro LED等領域發展布局，穩固愛思強在沉積設備領域的地位。

（LEDinside Irving整理）