近日，國星光電Micro LED超高清顯示研發專案成功點亮nStar Ⅲ。這是一款採用LTPS-TFT玻璃基驅動背板的1.84吋Micro LED全彩顯示螢幕，該螢幕採用全倒裝無襯底LED畫素發光單元，可實現螢幕峰值亮度＞1500nits，畫素間距為0.078mm ，解析度360*480，可望應用於Micro LED手錶等智慧穿戴產品。

▲ Micro LED全彩顯示器--nStar III。
 

根據國星光電介紹，nStar Ⅲ採用國星光電自主研發的巨量轉移技術和Micro LED玻璃基封裝專利技術，不僅實現＞50多萬顆Micro LED晶片高密度集成，R/G/B三色晶片落位精度＜2um，轉移良率＞99.9%，也使得外形厚度更薄，平整度更高，可兼顧散熱與顯示一致性。

從2020年6月nStar Ⅰ問世，到2022年9月推出nStar Ⅱ，再到本次迎來nStar Ⅲ，國星光電Micro LED全彩顯示器產品迭代升級正在穩步推進當中。

2020年6月，國星光電第一代Micro LED新品－nStar Ⅰ 2.7吋顯示模組正式面世。技術方面，據介紹，nStar Ⅰ採用玻璃作為基板介質，透明度高達60%；採用RGB晶片巨量轉移技術，色域大於100% NTSC，全彩化顯示效果更加逼真；採用一體式超薄封裝技術，對散熱更友好，同時確保了顯示效果的一致性以及更低亮度損失；具有更低的失效率，功率可低至LCD的10-20%，OLED的50-70%，可靠性高。

2022年9月，公司又推出第二代Micro LED新品－nStar Ⅱ。nStar Ⅱ為一款3.5吋玻璃基Micro LED全彩顯示螢幕，畫素間距300微米（P0.3），採用TFT驅動實現了8bit（256灰階）色深的顯示效果；基於自主搭建的Micro LED技術創新研發平台，同時突破了巨量轉移及巨量鍵結雙重技術難題，其綜合良率提升至99.99%。

伴隨nStar系列產品更新換代，技術上不斷向小間距、小尺寸等方面升級，性能持續提升，國星光電後續產品的開發將持續拓寬應用領域。

在Micro LED領域，國星光電近年來大力佈局自主研發，自2018年成立Mini&Micro LED研究中心後，2020年又成立了廣東省半導體微顯示重點實驗室，目前，公司在Mini/Micro LED領域已申請發明專利100餘件。

值得一提的是，國星光電主導的Micro LED全彩顯示器研發項目分別獲批國家重點研發計畫、廣東省重點領域研發計畫等科研項目，有助於國星光電全力推動Micro LED新型顯示專案開發，加速關鍵技術攻堅流程。

（LEDinside Carl整理；圖片來源：國星光電）