近日，美國半導體企業Ingantec Corporation宣布，在紅光氮化銦鎵（InGaN）Micro LED技術上取得關鍵突破，公司基於常規c面外延結構制備的5微米級紅光InGaN Micro LED，峰值外量子效率（EQE）超過20%，發光波長約625nm。

圖片來源：拍信網正版圖庫

長期以來，紅光InGaN器件的效率與波長穩定性難以兼顧。根源在於為獲得紅光，需大幅提高外延層中的銦含量，而高銦會引入晶格應變與缺陷，進而誘發載流子局域化和量子限制斯塔克效應（QCSE），最終導致效率衰減和明顯的電流漂移。

對此，Ingantec依托其專有的"光譜穩定紅"（SSR）技術，並與加州大學聖巴巴拉分校（UCSB）合作開發外延與應變工程方法，使器件在4~5 A/cm2電流密度下達到峰值效率，且該電流密度恰好對應其最紅發光狀態；在40~140 A/cm2的高電流區間，效率仍能維持在5%~8%，可滿足高亮度顯示需求。

尤為難得的是其波長穩定性，隨著驅動電流增大，器件發光波長先略微向長波方向移動（紅移），在峰值效率處達到最紅發光狀態。此後，即便電流繼續攀升至百倍量級，波長也僅向短波方向緩慢回移（藍移），整體光譜漂移幅度小且可控，顯色一致性遠優於常規紅光InGaN器件。

與量子點、納米線、納米錐或光子晶體路線不同，Ingantec採用常規平面InGaN架構，為晶圓級量產及與藍、綠光InGaN器件的單片集成提供了可行路徑。高性能原生紅光InGaN若成熟落地，可擺脫異質紅光外延及巨量轉移環節的覆雜工藝，減輕顯示驅動CMOS的色偏補償負擔，對單片全彩RGB Micro LED微顯示意義重大。

面向AR/MR顯示、車載HUD、移動設備、高亮微顯示及醫療診斷等場景，目前Ingantec已實現4英寸藍寶石襯底InGaN外延片上數億顆紅光發光單元的制備，並向顯示廠商、代工廠、背板開發商及先進封裝夥伴開放合作。

Ingantec成立於2022年，由前蘋果、富士康高管與威斯康星大學麥迪遜分校學者聯合創立，專注III族氮化物材料與器件技術。Ingantec目標是單片全彩RGB Micro LED技術，繞過低良率、高成本的巨量轉移工序。（LEDinside整理）

TrendForce 2025 近眼顯示市場趨勢與技術分析
出刊日期: 2025年8月29日
語系: 中文 / 英文
格式: PDF
頁數: 126

TrendForce 2026 Micro LED 顯示與非顯示應用市場分析
出刊時間: 2026 年 09 月 15 日
檔案格式: PDF
報告語系: 繁體中文 /英文