1mm2的小佔位面積升壓開關可節省高達60%智能型手機設計的電路板空間

隨著手機市場的持續發展，以及智能型手機的使用率和市場增長不斷上升，設計人員面臨著在整體設計中增加功能性，但同時需要縮小外形尺寸和組件數目的挑戰。快捷半導體 (NYSE: FCS) 開發出結合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT，佔位面積僅為1mm x 1mm，以滿足客戶需求和發展趨勢。

FDZ3N513ZT是升壓轉換器中的主要組件，用以驅動串聯白光LED，為智能型手機的顯示屏幕 (以及按鍵，如果有鍵盤的話) 提供照明。

該解決方案仔細且準確地將各種動態特性優化，能顯著地降低開關損耗，從而大幅地提高手機應用的轉換效率，以及延長電池使用時間。

FDZ3N513ZT結合了一個30V 整合式 N溝道MOSFET 和一個肖特基二極管，具有極低的輸入電容 (典型值45pF) 和整體閘極電荷(1nC)，以提高昇壓轉換器設計的效率。

FDZ3N513ZT採用1mm x 1 mm WL-CSP封裝，與採用1.6mm x 1.6mm封裝的器件相比，可節省60% 的電路板佔位空間。

快捷半導體是可攜式技術領域的領導廠商，擁有大量可針對特定要求而客制化的模擬與功率IP產品組合。FDZ3N513ZT 是快捷半導體全面的先進MOSFET系列的一部分，能夠滿足業界在充電、負載開關、DC-DC和升壓應用方面對緊湊、扁平的高性能MOSFET之需求。

價格: 訂購1,000個，單價為0.75美元

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