近日，美國Kyma公司新推出尺寸為10 ´10 mm-2和18 ´18 mm-2的高摻雜n+型氮化鎵體單晶襯底。此外，其正在研發直徑2英寸的氮化鎵襯底，計劃下一步進入量產階段。

Kyma新研製的高摻雜n+型氮化鎵襯底的電阻率小於0.02歐姆厘米，導電能力得到極大提高，電阻率比他們以前的n型氮化鎵襯底低兩個數量級。另外，Kyma成功開發的高摻雜n+型氮化鎵襯底晶元，n型載流子濃度達到了6´1018 cm-3，對應電阻率僅為0.005歐姆厘米。

目前，儘管n-型氮化鎵仍可作為一種較好的初始生長材料，n+型氮化鎵則更有優勢，特別是對於垂直結構器件和降低器件接觸電阻方面。在垂直功率電子器件方面，n+型氮化鎵可獲得超低的電阻，同時也降低了寄生電阻。而在LED等光電子器件方面，n+型氮化鎵可獲得低的垂直電阻，有效降低電流擁擠效應的發生。通過這些具有高電子濃度導電襯底的使用，將會使功率電子器件和光電子器件的性能和使用壽命得到大幅度提高，具有重大應用價值。

Kyma公司是一家專門生產氮化鎵和氮化鋁晶體材料的公司，這些材料在高性能的氮化物半導體器件方面具有廣泛應用。