生長LED有機層的晶圓製程

生長LED有機層的晶圓製程方法有氣相晶圓(VPE)、液相晶圓(LPE)、金屬有機化學氣相澱積(MOCVD)、分子束晶圓(MBE)。它們生長LED有機層的材料分別有氣相晶圓CaAsp、GaP,液相晶圓GaP,GaAlAs,金屬有機物化學氣相澱積InGaAlP、InCaN,分子束晶圓ZnSe等。

氣相晶圓比較簡單,往往在晶圓生長後要再通過用擴散的方法製作PN結,所以效率低。

液相晶圓已能一爐生長60-100片,生產效率較高,通過稼的重複使用成本也已降得很低,可用以製造高亮度GaP綠色發光器件和一般亮度的GaP紅色發光器件,也可用它製造超高亮度GaAlAs發光器件。

金屬有機化學氣相澱積法(MOCVD)是目前生產超高亮度InCaN藍、綠色LED和InCaAIP紅、黃色LED的主要方法,它既能精確控制生長厚度,又能精密控制晶圓層的組成。可用此法生長超高亮度LED結構中所需要的量子阱階層和DBR反射結構種的20個左右的週期層,也適用於大量生產,是目前生產超高亮度LED的主要方法。

分子束晶圓目前主要用於研製ZnSe白色發光二極體,效果很好,能生長小於10A的晶圓層,缺點是生長數度較慢,每小時約1mm,裝片容量也頗少,生產效率較低。

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