「氮化鎵-MOCVD深紫外LED材料生長設備」在青島研製成功

據悉,中國國家「863」半導體照明工程重點專案「氮化鎵-MOCVD深紫外LED材料生長設備」製造取得重大突破,研製成功了大陸首台具有自主知識產權的、能夠同時生長6片LED晶圓的MOCVD設備。

此項項目由青島傑生電氣有限公司承擔。該設備集精密機械、半導體材料、真空電子、流體力學、光學、化學、電腦多學科為一體,是一種自動化程度高、價格昂貴、技術集成度高的尖端光電子專用設備,在高亮度的藍光發光二極體(LED)、雷射器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽能電池、高頻大功率電子器件領域中具有廣泛應用,是半導體照明產業上游階段關鍵設備。

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