晶能光電(江西)有限公司「矽襯底發光二極體材料與器件」產業化專案一期工程竣工投產

近日,晶能光電(江西)有限公司「矽襯底發光二極體材料與器件」產業化專案一期工程竣工,2008年4月30日上午舉行了竣工投產典禮。今年5月份開始量產,形成年產30億顆晶粒的產能。

晶能光電(江西)有限公司專門從事矽襯底氮化鎵基LED晶圓材料與晶片生產的高科技企業,坐落在南昌國家高新區美麗的贛江之濱艾溪湖畔。

在氮化鎵基半導體發光材料領域,晶能光電(南昌大學)創造性發展出第三條半導體照明技術路線。該技術是一種改寫氮化鎵基LED歷史的新技術,具有原創技術產權,已獲得或者公開國際國內發明專利47項。該專案先後得到了在科技部863計畫、資訊產業部電子發展基金、教育部和江西省、南昌市等各類科技計畫的資助。

晶能光電目前生產的LED晶片具有如下三大特點:

(一)具有原創技術產權:產品可銷往國際市場。
(二)具有優良的性能:產品抗靜電性能好,壽命長,可承受的電流密度高。
(三)器件封裝工藝簡單:晶片為上下電極,單引線垂直結構,在器件封裝時只需單電極引線,簡化了封裝工藝,節約了封裝成本。

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