愛思強股份有限公司今日宣布，新客戶位於比利時哈瑟爾特的III族氮化物外延材料新製造商EpiGaN已成功調試兩套新MOCVD系統，可在6”或8”多項配置下運行。EpiGaN計劃將這些系統用於商業化生產適用於各種電力和射頻電子設備的6英寸硅基氮化鎵晶片，以及開發新一代200毫米硅基氮化鎵晶片。
愛思強歐洲的服務支持團隊已於該公司在比利時哈瑟爾特研究中心（Research Campus Hasselt) 專建的頂級設施中，安裝並調試這些反應器。
EpiGaN首席執行官Marianne Germain博士表示：“EpiGaN是世界知名IMEC衍生出的公司。在完成募資后，我們已為實施戰略計劃、確立生產能力做好準備。我們與愛思強在硅基氮化鎵方面多年富有成效的合作經驗表明，愛思強的這些CCS系統完美地契合了我們的需求。EpiGaN團隊在IMEC期間曾與愛思強CCS MOCVD系統團隊合作，且曾合作發表多篇關於硅基氮化鎵發展的論文。雖然研發高伏200毫米硅基氮化鎵的前路仍有挑戰，但我們相信，將我們累積多年的專長與合作夥伴愛思強的尖端設備及工藝技術相結合，定能更快更高效地實現我們的所有目標。”
愛思強股份有限公司副總裁兼電力電子項目經理Frank Wischmeyer博士補充道：“我們非常高興宣布這項來自EpiGaN的新訂單，EpiGaN是歐洲最新最具前景的新創企業之一。愛思強非常高興能與EpiGaN攜手合作，在其升級設備、優化流程和發展更大面積的硅基氮化鎵晶片材料的道路上助其一臂之力。”
EpiGaN于2010年註冊成立，公司致力於為元件製造商提供獨一無二及歷經驗證的技術，服務於消費類電子的電力供應、混合動力電動汽車、太陽能逆變器、基站的射頻電源、智能電網等市場領域。此外，該公司正參與EU項目HiPoSwitch，該項目旨在開發體積更小巧、功能更強大的能量轉換器。
