降LED生產成本 GT推HVPE系統加速磊晶生長 擴產資本支出可望減少25%

LED價格下滑趨勢不變,LED晶片廠不斷在製程與技術方面進行改善以降低成本,半導體設備廠極特先進科技(GT ADVANCED TECHNOLOGIES)開發取代MOCVD中nGaN和uGaN生長製程的HVPE系統,未來LED晶片廠可以透過增加HVPE系統的方式加速磊晶生長,相較以添購MOCVD方式擴增產能,輔以HVPE系統擴增產能可望為LED晶片廠最高省下25%的資本支出。

 

GT已在2013年5月發表利用Soitec Phoenix Labs(Soitec旗下子公司)獨家擁有的HVPE專利技術,HVPE技術的特點是生長速率快,能夠以較低的成本快速生長nGaN和uGaN,HVPE所用的前驅體(GaCl3)也比MOCVD所需要用的前驅體TMG,便宜10倍,加上HVPE系統在nGaN和uGaN的產出速度較MOCVD快,因此,LED晶片廠未來可以透過增加HVPE系統方式擴增產能。

GT舉例說明指出,一台HVPE的產能相當於2台MOCVD,也就是對於一個已經擁有12台MOCVD的LED晶片廠來說,廠商若希望將產能增加一倍,已往就是採取再度購置12台MOCVD方式達成目標,但現在可以在不添增MOCVD機台下,進而購置6台HVPE系統,以HVPE系統取代nGaN和uGaN的生長製程,同時可以讓MOCVD機台專注於其他layer的生長達到產能擴增的目標,這樣一來,LED晶片廠購置設備成本將可望明顯降低。

GT指出,HVPE系統可實現藍寶石基GaN的規模化、低成本生產,估計HVPE系統可降低超過80%的前驅體成本,同時提高昂貴MOCVD製程的產量,最高可以為LED晶片廠降低25%資本支出,HVPE系統預計將於2014年下半年上市。

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