普萊思半導體（Plessey）上週發佈新聞稿宣佈該公司已購買愛思強（AIXTRON ）的AIX G5+ C有機金屬化學氣相沉積（MOCVD）反應器。
(Image: Plessey)
普萊思致力於採用矽基氮化鎵外延片生產下一代Micro LED應用，而愛思強的MOCVD反應器將增強其矽基氮化鎵外延片的製造能力。公司擬在2019年第一季度期間將此反應器安裝在其位於英國普利茅斯（Plymouth）的製造工廠（27萬平方公尺）並投入使用。
新的愛思強反應器提供自動卡匣式（C2C）晶圓傳輸模組晶片傳送模組，具備兩個獨立的腔體配置選項，可實現8x6英寸或5x8英寸矽基氮化鎵外延片在封閉的卡匣環境中的自動載入與移除。而普萊思現有的愛思強MOCVD反應器則可人工載入7x6英寸或3x8英寸外延片。
新反應器的自動化清潔技術能夠確保設備在每次運行時都處於清潔狀態，有助於降低晶圓缺陷率並大幅減少維修停工時間。此外，新設備還具有更快的傾斜升溫與冷卻以及高的基座卸載溫度，從而縮短配方時間。
普萊思表示，AIX G5+ C反應器能夠增強基於公司專有矽基氮化鎵技術的單片Micro LED的研發能力。公司的Micro LED具備極低功耗、高亮度與超高圖元密度等特點，將對使用LCD和OLED等傳統技術的現有應用領域帶來潛在的衝擊。
普萊思旨在成為開發創新顯示引擎和全磁場自發光Micro LED顯示器的全球領導照明商。該設備結合了超高密度RGB圖元陣列與高性能互補金屬氧化物半導體（CMOS）背板，具有高亮度、低功耗及高幀頻圖像源等特點，可用於AR/VR系統的頭戴式顯示器和穿戴式電子設備。
