Plessey開發2.5微米Micro LED顯示器,用於AR/VR設備

隨著越來越多廠商開發先進顯示產品和技術解決方案,小間距顯示幕正在成為面板市場的發展趨勢。

英國矽基氮化鎵(GaN-on-Si)專家Plessey宣佈開發了一個創紀錄的2.5μm超高解析度Micro LED顯示器,用於可穿戴AR/VR設備。

Plessey一直致力於將Micro LED技術導入AR/VR顯示應用,本次採用了其專有的單片集成矽基氮化鎵技術,在2.5μm間距上實現了超精細、超高解析度(2000×2000)的顯示器,具備高亮度和高對比等優點,且在室外環境下觀看舒適。相比傳統 LCOS 或 DLP 顯示幕,此款Micro LED顯示幕僅消耗20%的能量。


(圖片來源: Plessey)

據瞭解,矽基氮化鎵技術具備很多優點。如:矽襯底的低熱阻性提高了熱提取效率,從而降低結溫,增強可靠性。該技術可提供卓越的能效、高解析度及無可超越的對比度。因其與大規模矽積體電路工藝相似,矽基氮化鎵技術可以擴展到逐漸增大的晶圓,改善成本、提高一致性和良率。

事實上,Plessey已通過單片集成Micro LED技術獲得了其它技術突破。

今年3月,該公司宣佈採用原本發出藍光的矽基氮化鎵開發出天然綠色LED。天然綠色LED是由GaN-on-Si外延生長工藝形成,與天然藍色LED類似,主要區別在於LED的量子阱結構中的銦含量。

5月,Plessey在2019年 SID Display Week上展出了首個單片集成矽基氮化鎵Micro LED顯示幕,由間距8μm的單色全高清(1920x1080)電流驅動像素陣列組成。(編譯:LEDinside Janice)

RSS RSS     print 列印         announcements 線上投稿        
【免責聲明】
1、「LEDinside」包含的內容和資訊是根據公開資料分析和演釋,該公開資料,屬可靠之來源搜集,但這些分析和資訊並未經獨立核實。本網站有權但無此義務,改善或更正在本網站的任何部分之錯誤或疏失。
2、任何在「LEDinside」上出現的資訊(包括但不限於公司資料、資訊、研究報告、產品價格等),力求但不保證資料的準確性,均只作為參考,您須對您自主決定的行為負責。如有錯漏,請以各公司官方網站公佈為準。
【版權聲明】
「LEDinside」所刊原創內容之著作權屬於「LEDinside」網站所有,未經本站之同意或授權,任何人不得以任何形式重制、轉載、散佈、引用、變更、播送或出版該內容之全部或局部,亦不得有其他任何違反本站著作權之行為。