Micro LED技術再突破!Plessey開發出矽基InGaN紅光LED實現全彩顯示器

英國Micro LED公司Plessey發佈新聞稿宣佈已開發出世界上首個矽基InGaN紅光LED。


(圖片來源:Plessey)

紅光LED始終是Micro LED實現全彩化的一大挑戰。InGaN材料的藍光和綠光LED都已商用量產,而紅光LED則通常使用AlInGaP材料或依賴色彩轉換,且因為AlInGaP材料常出現嚴重邊緣效應,或是在顏色轉換過程容易造成的損耗,都讓實現高效率的超小間距紅色像素(<5 μm)困難重重。


(圖片來源:Plessey)

為了克服紅光LED的挑戰,Plessey使用InGaN材料搭配其專屬技術來製造紅光LED。與現有的基於AlInGaP的紅光相比,InGaN紅光LED不僅製造成本低,還能擴展到更大的200 mm或300 mm晶圓,且具備更好的熱/冷係數。然而,InGaN紅光LED的難度也不容小覷。由於銦含量高,在活性區域會引起應變反應,造成晶體品質降低並產生多種缺陷,Plessey則透過專有的應變控制技術來實現高效率InGaN紅光LED。

Plessey的InGaN Red Micro LED在電流密度為平方公尺10安培時的波長為630 nm,半峰全寬為50 nm,熱冷係數超過90%。而在超小間距中時,其發光效率高於傳統的AlInGaP和色轉換的紅光。有了這個結果,Plessey現在可以製造原生的藍、綠和紅InGaN材料,或者使用其GaN-on-Silicon平臺調出400至650 nm的波長。



(來源:Plessey)

Plessey外延和高級產品開發總監Wei Sin Tan表示:「這是一個令人振奮的結果,因為它為低成本製造超小間距和高效的Red InGaN圖元提供了一條途徑,將加速Micro LED在AR微型顯示器和移動/大型顯示器應用中的採用。」(編譯:LEDinside James)

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