KAIST研發新技術,成功突破MicroLED顯示器解析度限制

據Business Korea報導,韓國研究團隊KAIST提出一項能夠突破Micro LED顯示器解析度限制的技術。新技術有望用來生產高解析度小顯示器,用於VR/AR等裝置。


(圖片來源:Pixabay)

6日,KAIST宣佈由電子工程系Kim Sang-hyun教授帶領的研究小組研發了採用半導體製造技術生產每寸超過63,500像素的技術。

Micro LED顯示器使用微米尺寸的無機發光二極體作為像素點。鑒於此,紅綠藍(RGB)像素必須緊密排列,但能生產RGB三種顏色的LED材料各不相同,因此,每顆LED必須轉錄到顯示基板上。

然而,在此過程中會產生很多技術難題,如LED轉移頭的尺寸限制、機械精度及良率降低等問題,因此,很難將此技術應用到超高解析度的顯示器上。

目前,KAIST研究團隊已經開發出一種生產高解析度Micro LED顯示器設備的新方法。據悉,他們將紅綠藍LED有源層堆疊在3D空間之後再使用半導體圖案化工藝。為解決在垂直堆疊RGB LED過程中產生的顏色干擾以及每個微小像素的效率等問題,該團隊在結合面上放置具有濾光片特性的絕緣膜,將紅色和藍色干擾光線消除了97%。最後,研究團隊成功實現每英寸超過6萬像素的高解析度,提高了微發光二極體的效率。(編譯:LEDinside Janice)

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