英學者研發綠光InGaN Micro LED製造方法,超低電源便能實現高亮度

英國雪菲爾大學研究學者發表了其在Micro LED領域的最新研究成果,開創出新的綠光InGaN Micro LED製造方法,能夠實現高亮度及高密度的Micro LED陣列。


(Image: ACS Photonics)

當前的綠光InGaN Micro LEDs多是透過結合標準化的光刻技術以及相應的乾蝕刻,破壞LED表面所製造而成。而在此最新製程中,InGaN則是直接長在已經設定好的微小化圖案陣列中,以極薄的SiO2層作為晶圓片上的GaN模板。

學者採用有機金屬化學氣相沉積法來製造生長於單一微型洞孔裡的Micro LED。這些微型洞孔讓每個Micro LED能夠自然產生表面鈍化,簡化製造過程。所有陣列中的Micro LED都共享一個N極接觸面,而所有的P極接觸面則都是開放的,能分別連接或在大面積上連接。

該研究團隊製造出數以千計,尺寸只有3.6 μm 的Micro LED在0.1平方毫米的表面上,而單一個3.6 μm 的Micro LED能夠以超低的0.3μA電流點亮。使用這種Micro LED完成的640x480 像素顯示器,則只需要0.23W電源即可運作。

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