9月17日，法國原子能與替代能源委員會（CEA）旗下的電子與信息技術實驗室CEA-Leti與異質外延及其應用研究中心（CRHEA）宣布，在Micro LED技術上取得突破，首次在單一材料系統內實現了穩定的紅、綠、藍光色，有望推動AR/VR用全彩微顯示技術發展。

研究成果已發表於《Nature Communications Materials》，並將於9月24日在荷蘭埃因霍溫舉行的MicroLED Connect大會上正式報告。論文題為《在InGaN納米金字塔上生長銦含量高達40%的RGB InGaN量子阱》。

論文詳述了團隊如何利用金屬有機氣相外延（MOVPE）技術，在帶外延石墨烯層的SiC基底上制備InGaN納米金字塔，從而緩解了銦摻入受限的難題。實驗結果顯示，研究人員在量子阱中實現了創紀錄的40% InN摩爾分數，使其能夠可靠地產生紅光，並保持高晶體質量。

圖片來源：CEA-Leti

據悉，長期以來，10微米以下像素的Micro LED微顯示器一直面臨集成難題，即磷化物紅光器件在微縮後效率顯著下降，而顏色轉換方法受制於精度與穩定性。CEA-Leti的方法打破了這些限制，使RGB光源能夠在同一材料體系內原生生成，簡化了器件結構並提升了性能。

研究人員表示，這項最新研究技術解決了顯示微型化過程中最棘手的難題之一，為制造高亮度、高分辨率的全彩MicroLED微顯示器打開新路徑，對下一代 AR/VR頭顯和智能眼鏡的發展至關重要。

CEA-Leti 強調，這一成果不僅有望推動沈浸式顯示的發展，還可擴展至高速光通信、光伏器件以及可再生氫能生產等更廣泛的應用領域。

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出刊日期: 2025年8月29日
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