日廠Nitride Semiconductors開發用於半導體製程曝光系統的UV LED

日本UV LED廠商Nitride Semiconductors宣布已開發出一款波長為365nm的UV LED晶片,並宣稱是第一個用於半導體和PCB製程曝光系統的紫外光源。

當前用於半導體製程的曝光系統仍紫外汞燈為主,存在待機時間長、工作壽命短、紫外光照度穩定性低、開關控制不便等功能性限制問題。另外,由於環境污染問題,預計《水俁公約》的實施將推動LED光源加快替代含汞光源。

Nitride Semiconductors表示,波長為365nm的新型NS365L-9RXT UV LED晶片具有效率高、節能且壽命長等特點,在正向電流If為3A,正向電壓Vf為4.6V的條件下,紫外輸出功率為3.2W。同時,這款UV LED結構緊密,尺寸為9mm(長) x 9mm(寬) x 8.5mm(高),因此安裝密度更高。

新型UV LED還具有適用於半導體曝光的窄發光角。通常情況下,半導體製程為實現精準曝光,需要使用平行光。然而,由於UV LED光源發光角比較寬(約120°),用於曝光所獲的光量往往不足。因此,通過結合深度反射鏡與高透光率透鏡,該公司實現了小於或等於15°的發光角。這表明UV LED有可能直接替換傳統曝光系統所用的UV光源,無需購買新的UV LED曝光系統。(LEDinside Janice編譯)

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