美國化合物半導體襯底大廠Technology and Devices International Inc.（TDI）日前宣布，該公司推出4英吋，約100毫米的GaN磊晶圓和AlN磊晶圓，已經正式投入量産，不久將正式出貨。

TDI指出，他們採用獨具專利的氫化物汽相外延法(HVPE)，使用位於Silver Spring, MD的多晶片生産設備生産這些磊晶圓。

GaN磊晶圓含有一個7～12微米厚的GaN層，該GaN層附著在(0001)　c-plane四英寸藍寶石襯底上。這些GaN磊晶圓適用於低缺陷襯底，用來生産高亮度藍色、綠色和白色GaN基發光二極體（LEDs）。

AlN磊晶圓包含一個10～30微米厚的AlN絕緣層，該絕緣層附著在(0001) 4英寸金剛砂襯底上。這些AlN磊晶圓適用於低缺陷的絕緣層，用來生産高能AlGaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)。

TDI總裁兼首席執行官Vladimir Dmitriev表示，「開發GaN基器件，幷把GaN基器件推廣應用于較大襯底，已成爲當今産業的一個趨勢。TDI客戶已把目光從標準的2吋晶圓投向3吋和4吋磊晶圓。不過，TDI已做好了準備，增加了生産設施和鍍膜設備，開始大批量生産4吋（100毫米）GaN磊晶圓和AlN磊晶圓。」

Vladimir Dmitriev接著說，「目前，TDI在100毫米GaN 和AlN氫化物汽相外延法(HVPE)生産流程和設備方面，占有領先的優勢，TDI計劃在2008年推出6吋磊晶圓。批量生産大尺寸低成本的GaN 和AlN襯底將使我們的客戶大大受益，節約材料，降低成本。」

關於TDI

TDI是一家新型化合物半導體襯底開發商，涉獵範圍包括GaN, AlN, AlGaN, InN, 和InGaN等。TDI開發且推廣了一系列化合物半導體材料，主要應用於固體照明設備、短波光電産品、RF電力電子産品等。