台灣中央大學選用愛思強反應器開發矽基氮化鎵電源設備

愛思強股份有限公司今(8.14)日宣布,台灣中央大學向其訂購一套新的MOCVD系統。此次訂購的1x6英寸愛思強近耦合噴淋頭 MOCVD系統,將用於在6英寸的矽基材上生長氮化鎵外延結構,以進行電源管理設備的研發。

愛思強的當地服務團隊已在中央大學光電與微波元件實驗室的先進潔凈間中,對新反應器進行了安裝及調試。

台灣中央大學電機學院院長綦振瀛教授表示:“市場對用於高效能、高功率系統的低成本氮化鎵電源設備的需求與日俱增。為滿足這一需求,我們計劃將我們專門開發的半導體材料技術投入到產業之中,先進行初期試點,待條件成熟後進行大規模生產。為確保項目取得成功,我們需要最好的沉積設備,愛思強多晶片MOCVD系統成為了我們的首選。這一系統非常符合在大面積的矽質晶圓上生長氮化鎵異質外延結構的需要,可以產出超低成本的高性能設備。此外,愛思強的支持服務素有極佳的口碑,令我們對此項重大的新項目更有信心。”

台灣中央大學以其研究和學術成就享譽全球,擁有著廣泛的研究項目,包括複合系統、液晶、神經網路、聲子和光子晶格、半導體、磁性薄膜和超導體材料等。通過合作辦學和研究項目、尖端研究和創新教育,台灣中央大學將保持其在台灣和全球的一流大學地位。

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