法國Leti開發基於CMOS的Micro LED顯示幕生產新技術

據報導,法國研究機構Leti of CEA Tech研發出一個生產高性能氮化鎵Micro LED顯示幕的新工藝。相比現有方法,這項新技術更簡單且更高效。

新工藝的第一步是將Micro LED晶片直接轉移到CMOS晶圓上。第二步是把由CMOS驅動電路和Micro LED晶片組成的每個完整圖元點轉移到顯示基板上。

研究員指出,CMOS驅動器具備高性能,可以製造更多種類的Micro LED顯示幕,從小尺寸可穿戴顯示器到大尺寸電視面板都能實現。

據稱,單個LED-CMOS單元是通過全半導體和晶圓級方法製造的,最終製成的顯示器不需要使用TFT(薄膜電晶體),這也是新工藝技術的另一個優點。

(source : Leti)

目前,如何提高驅動電子的性能是製造Micro LED的一個挑戰,這需要更多功率來實現更加明亮的圖像,以及更快的速度來應對不斷增長的高顯示解析度需求。

CEA-Leti研發的新工藝能夠通過簡化的轉移工藝來製造基於CMOS的高性能氮化鎵Micro LED顯示器,無需TFT背板。RGB Micro LED直接堆疊在微CMOS電路上,然後每個單元被轉移至簡單的接收基板上。最後,在單個半導體線上完成RGB Micro LED和背板的製造。

CEA-Leti光學器件戰略行銷經理Fran?ois Templier表示,這項基於CMOS的工藝能夠生產出更高亮度和更高解析度的Micro LED顯示器,可改變大型電視製造領域的遊戲規則。

據悉,5月14日,CEA-Leti在2019顯示周上展示了這項突破性技術。(編譯:LEDinside Janice)

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