法國Aledia擬投資1.4億歐元建GaN-on-Si Micro LED生產線

法國3D LED技術公司Aledia日前宣布計畫投入140億歐元在法國打造GaN-on-Si Micro LED生產線,並預計在2022年開始投入生產。


(圖片來源:Aledia)

Aledia近來專注於發展3D LED以用於推進Micro LED顯示技術,去年陸續傳出採用Veeco的薄膜製程以及MOCVD設備來製造GaN-on-Si 3D Micro LED,並與以色列半導體廠商TowerJazz結盟,整合Aledia的晶片製造強項跟TowerJazz的轉移優化製程技術。

基於其獨特的3D結構,Aledia開發出一種矽基氮化鎵的奈米線(GaN-on-silicon nanowires)Micro LED生產方式,並將商標註冊為「WireLED」。

Micro LED顯示技術雖然持續進行,但微小跟巨量的晶片對製程帶來的挑戰實在太大,因此始終無法跨過商轉量產的關卡。不少技術開發者認為,整合半導體設備將是更有效率的解方,也因此,部分技術廠商正積極推動矽基氮化鎵GaN-on-Si晶圓。除了Aledia近來宣布將打造生產線外,德國廠商ALLOS也持續推廣相關技術及應用。

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