國星推出第三代半導體新產品,布局腳步再提速

中國在十四五規劃等國家政策的推動下,半導體集成電路領域正在快速成長,其中,第三代半導體器件憑藉較大的禁帶寬度、高導熱率、高電子飽和漂移速度、高擊穿電壓、優良的物理和化學穩定性等特點,備受企業和資本市場的熱捧。

據了解,國星光電於 2020 年啟動了組建功率器件實驗室及功率器件產線的工作,開始大力布局三代半封測領域。

近期,國星正式推出一系列第三代半導體新產品,其中,TO-220/TO247 系列的 SiC MOSFET 和 SiC SBD 產品已經進入了試產階段,並且在樣品階段完成了 AEC-Q101 車規級標準的摸底測試驗證工作。TO-247-3L 的性能達到 1200V、40A、80mΩ,TO-220-3L 達到 1200V、13A、160mΩ。


 

與此同時,國星的三代半產品已送至第三方有資質的機構,正在依據 AEC-Q101、JESD22、MILSTD-750 等有關車規級和工業級標准進行認證測試。

目前,國星光電在第三代半導體領域已經形成了 3 大產品系列,包括:SiC 功率器件、GaN-DFN 器件、功率模組。

SiC 功率器件:國星 SiC 功率器件小而輕便,反向恢復快、抗浪湧能力強、雪崩耐壓高,擁有優越的性能與極高的工作效率。目前該領域已形成了 2 條 SiC 功率器件拳頭產品線:SiC-MOSFET、SiC-SBD;擁有 4 種封裝結構(TO-247、TO-220、TO-263、TO-252);可廣泛應用於大功率電源、充電樁等工業領域。


 

GaN-DFN 器件:國星 GaN-DFN 器件具有更高的臨界電場、出色導通電阻、更低的電容等優勢,使其尤適用於功率半導體器件,降低節能和系統總成本的同時,工作頻率更高,具有極高的功率密度和系統效率,可極大地提升充電器、開關電源等應用的充電效率,廣泛應用於新能源汽車充電、手機快充等。


 

功率模組:國星光電第三代半導體功率模組,採用自主創新的架構及雙面高效散熱設計,具有優越的電性能和熱性能,雜散電感低、轉換效率高、輕載損耗小等優勢,其功率密度大,產品體型小,可廣泛應用於各種變頻器、逆變器的工業領域,滿足系統開發人員對空間的嚴格要求。模組產品可根據特殊功能需求進行模組化定制開發。


 

展望 2021 年及未來,國星將把第三代半導體作為戰略發展新方向,不斷創造新的利潤增長點,同時助力推動第三代半導體產業國產化的進程。

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