Porotech 與力積電合作,生產 200mm GaN-on-Silicon Micro LED

英國劍橋大學衍生 Micro LED 企業、以氮化鎵(GaN)為基礎的半導體技術的公司 Porotech 宣布與力積電合作,在 Micro LED 顯示應用建立戰略合作夥伴關係,以生產應用終端顯示應用的 200mm GaN-on-Silicon 的 Micro LED。


 

Porotech 指出,此合作夥伴關係將加速生產用於終端顯示應用的最高亮度、最高像素密度、最小且低成本的 Micro LED,並實現商業化量產以應對消費者應用需求。

Porotech 強調,力積電在半導體前端晶圓製造代工的專有技術,與 Porotech 在PoroGaN® MicroLED-on-Silicon(簡稱 uLEDoS)、動態像素調整技術(DPT®)、GaN-on-Silicon 平台等世界領先技術結合,將確保 Micro LED 顯示器的商業化。

Porotech 認為在半導體環境中量產 Porotech Micro LED-on-Silicon,是顯示器消費應用商業化一大步。力積電在半導體前端晶圓製造方面的實力,也有望在生產階段做出貢獻。雙方對於Micro LED-on-Silicon 在半導體製造技術中的潛在成果充滿信心,利用雙方技術優勢,實現高性能、高產量和低成本的終端顯示應用。

Porotech 創辦人朱彤彤表示,與力積電合作,是生產應用顯示器的 Micro LED-on-Silicon 技術,標誌著一個重大進步,充分顯示在追求創新和卓越的共同態度。在 uLEDoS 技術的技術沿革中,GaN on Silicon 角色是不可或缺的。

(本文由 科技新報 授權轉載;首圖來源:Porotech

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