Aixtron推出新款AIX G5+矽基氮化鎵(Gan-on-Si ) MOCVD設備,可一次處理5片8吋晶圓

用於AIX G5反應器平台的5x200mm(8吋) Gan-on-Si矽基氮化鎵技術

德國複合半導體設備大廠愛思強股份有限公司(Aixtron)推出最新產品AIX G5+,為其AIX G5行星式反應器平台提供5x200 mm(8吋) 矽基氮化鎵生長專用設備。基於以客戶為中心的發展計劃,愛思強的研發實驗室開發了此技術並設計並製造了此產品,包括特別設計的反應器硬件和製程。該產品現已作為AIX G5系列的一部分推出,因此所有現有的G5系統均可升級至這一新設備。愛思強已經向部分關鍵客戶透露了G5+的詳情。



「矽基氮化鎵技術是當今MOCVD用戶和製造商的熱門話題。」愛思強市場部副總裁Rainer Beccard博士表示,「它是很多新興功率電子器件市場領域的首選技術,同時在未來低成本高性能的高亮度LED產品製造方面擁有良好的前景。晶圓尺寸以及材料對於製造製程的成本效益至關重要,因此過渡到200 mm的標準矽晶圓,將以其獨特的成本優勢成為未來發展的合理趨勢。」

「愛思強堅信在200 mm矽基氮化鎵的製程上,均勻性與良率是成功的關鍵因素,因此我們進行了一個專門的研發計劃。」愛思強副總裁兼功率電子器件項目經理Frank Wischmeyer博士補充說,「首先,我們經過了反覆的數值模擬,從而設計出能夠與現有的AIX G5反應器平台兼容,而且足以勝任5x200 mm製程的獨特製程性能的新基本部件。」而最終實現的極其穩定的製程流程提供了較其他任何MOCVD平台更為均勻的材料特性以及更高的設備良率,同時也擁有5x200 mm的晶圓生產能力。

來自客戶的初步反饋,也印證了這一技術發展的巨大成功。很多客戶特別指出,所有5x200 mm晶圓具有完全旋轉對稱的均勻形狀、標準厚度的矽基襯底以及嚴格可控的晶圓彎曲度,均完全符合他們所需的矽質生產需要。Wischmeyer博士介紹說:「這樣均勻一致的生產能力,一直以來都是愛思強行星式反應器®技術的獨有優勢,如今也可以成功應用到200 mm矽基氮化鎵晶圓的生產上。」

 

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