日本大廠同和電子開發出深紫外LED晶片,實現了325~350nm波長範圍內全球最高輸出功率

近日,日本大廠同和電子(DOWA Electronics)宣佈,開發成功了發光波長為325~350nm的深紫外LED晶粒。比目前市售的紫外LED發光波長短,實現了該波長範圍全球最高水準的輸出功率。該公司正在進行旨在實現深紫外LED量產的試驗,力爭2008年內開始樣品供

這款新的紫外線LED晶粒採用了在藍寶石底板上高溫外延生成的AIN層範本,並結合使用從美國帕洛阿爾托研究中心(Palo Alto Research Center)引進的紫外LED外延生長技術。

同和電子具有製造高品質AIN範本的技術,該公司介紹說,用AIN範本作為緩衝層,可有效降低促使結晶生長的氮化鎵(GaN)材料的變形。

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