日廠東芝近期展出的近紫外線LED產品,其外部量子效率高達36%

在近日東京的「nano tech 2009國際納米技術綜合展」上,關於新一代照明用LED的解決方案,東芝展出了正在開發的近紫外LED。其外部量子效率較高,達到了36%。發光波長為380nm。為了提高發光效率,抑制了GaN結晶的缺陷,提高了平坦性。

該公司對設置在藍寶石底板及GaN結晶之間、吸收不同晶格常數(lattice constant)的AlN緩衝層進行了改進。採用了在藍寶石底板上製作AlN薄層後,利用1300℃以上的高溫工藝製成μm單位AlN單結晶的「兩段成長法」。這樣,就能抑制在AlN層上成長的GaN結晶缺陷。另外還採用自主開發的技術解決了由於AlN較厚,與藍寶石底板的熱膨脹係數不同而引發的底板易破碎問題。據瞭解,此次的近紫外LED可通過組合使用紅(R)、綠(G)、藍(B)螢光體,實現與螢光燈幾乎相同的2800K色溫、以及平均演色指數(Ra)90以上的照明效果。

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