在近日東京的「nano tech 2009國際納米技術綜合展」上，關於新一代照明用LED的解決方案，東芝展出了正在開發的近紫外LED。其外部量子效率較高，達到了36％。發光波長為380nm。為了提高發光效率，抑制了GaN結晶的缺陷，提高了平坦性。
該公司對設置在藍寶石底板及GaN結晶之間、吸收不同晶格常數（lattice constant）的AlN緩衝層進行了改進。採用了在藍寶石底板上製作AlN薄層後，利用1300℃以上的高溫工藝製成μm單位AlN單結晶的「兩段成長法」。這樣，就能抑制在AlN層上成長的GaN結晶缺陷。另外還採用自主開發的技術解決了由於AlN較厚，與藍寶石底板的熱膨脹係數不同而引發的底板易破碎問題。據瞭解，此次的近紫外LED可通過組合使用紅（R）、綠（G）、藍（B）螢光體，實現與螢光燈幾乎相同的2800K色溫、以及平均演色指數（Ra）90以上的照明效果。
