ALLOS結盟KAUST研究團隊打造高效率矽基InGaN紅光Micro LED

據報導,德國矽基氮化鎵專家ALLOS Semiconductors宣佈與沙特阿卜都拉國王科技大學(KAUST)研究團隊合作,雙方將共同研發高效率的矽基板InGaN紅光Micro LED。

據瞭解,晶格失配(lattice mismatch)和量子限制斯塔克效應(quantum-confined Stark effect,QCSE)等問題限制了紅光氮基LED在實際工業應用中的使用,而ALLOS與KAUST的合作則將致力於解決這些基本問題。


(圖片來源:ALLOS)

值得注意的是,在Micro LED顯示領域,除了藍色和綠色LED之外,Micro LED顯示還對在大尺寸晶圓上生長紅光LED的需求持續提升,希望能藉此降低製造複雜性和成本。

據悉,KAUST團隊此前已經透過採用局部應變補償(Local Strain Compensation)和改良後的MOCVD反應器設計,在開發正向電壓(Forward Voltage)低於2.5V且高效的InGaN基紅色Micro LED方面獲得突破,並在藍寶石襯底和Ga2O3(氧化鎵)襯底上生長出紅光LED。


(圖片來源:KAUST)

為了採用晶圓級(尤其是大尺寸晶圓)工程應變技術來開發潛在高性能紅光LED,KAUST團隊與ALLOS共同將研究工作延伸到矽襯底上。憑藉能夠將晶圓片擴展到300mm以及在矽基襯底產線上加工的能力,雙方的合作將加快量產進程。對於Micro LED顯示器,特別是用於AR設備的單片集成Micro LED顯示器而言,這將是另一個重要的助攻。

KAUST團隊與ALLOS將充分利用各自的專業知識來處理應變問題,優化矽基氮化鎵和紅光LED的晶體生長條件,進而實現在矽基氮化鎵緩衝層上生長紅光LED堆疊(Stack)。

ALLOS的技術長Atsushi Nishikawa也將於2020 Micro LED Forum分享旗下的大尺吋晶圓片技術如何協助Micro LED顯示應用加速量產。線上研討會即將在7月29日正式開播,更多不能錯過的最新產業技術進展跟市場動向也將同步揭曉。把握最後早鳥優惠即刻註冊!



(LEDinside Janice編譯)

RSS RSS     print 列印         announcements 線上投稿        
瀏覽人次:835
【免責聲明】
1、「LEDinside」包含的內容和資訊是根據公開資料分析和演釋,該公開資料,屬可靠之來源搜集,但這些分析和資訊並未經獨立核實。本網站有權但無此義務,改善或更正在本網站的任何部分之錯誤或疏失。
2、任何在「LEDinside」上出現的資訊(包括但不限於公司資料、資訊、研究報告、產品價格等),力求但不保證資料的準確性,均只作為參考,您須對您自主決定的行為負責。如有錯漏,請以各公司官方網站公佈為準。
【版權聲明】
「LEDinside」所刊原創內容之著作權屬於「LEDinside」網站所有,未經本站之同意或授權,任何人不得以任何形式重制、轉載、散佈、引用、變更、播送或出版該內容之全部或局部,亦不得有其他任何違反本站著作權之行為。