陽明交大與 Picosun 合作提升 Micro LED 外量子效率

4月5日,原子層沉積(ALD)薄膜塗層技術供應商Picosun在官網發文稱,在台灣陽明交大展開的Micro LED研究中,Picosun原子層沉積(ALD)技術在增強Micro LED的電光特性方面發揮了至關重要的作用,助力Micro LED外量子效率進一步提升與實現全彩化顯示。

(Source:Picosun)

Picosun表示,使用介電薄膜做為鈍化材料是抑制懸空鍵以及提高LED輸出功率和外量子效率(EQE)的常用技術。陽明交大在研究中比較不同尺寸III族氮化物Micro LED,在採用和沒有採用原子層沉積氧化鋁鈍化技術時的外量子效率。結果表明,經原子層沉積氧化鋁鈍化處理之後,5 µm×5 µm的Micro LED外量子效率提高了70%,而10 µm×10 µm 的Micro LED外量子效率提高了60%。

此外,為了實現Micro LED全彩化顯示,陽明交大團隊開發了一種自動圖案化量子點的噴墨打印技術。該方案可以顯著提高彩色像素的精度,滿足高解析度要求,並透過Picosun的ALD鈍化技術成功防止量子點的光氧化降解。經過500小時的環境可靠性測試後,顯示色域仍保持在較高水平。

陽明交大教授郭浩中表示,「Micro LED一直是應用於下一代顯示產品的的顛覆性技術。在越來越多的應用領域中,Micro LED展現了其長壽命、高功效和高亮度等優點。透過量子點技術,Micro LED可應用於VR/MR等領域,因為在這些應用領域,使用單色藍光Micro LED晶片就能夠滿足需求,有利於降低產品製造成本。而我們的研究證明,原子層沉積鈍化技術在即將到來的奈米級器件中發揮著關鍵作用。」

Picosun集團產業業務領域副總裁Juhana Kostamo表示:「Picosun的原子層沉積技術已在許多知名LED製造商中得到生產驗證。原子層沉積薄膜擁有卓越的保形性和均勻性,以及在極低薄膜厚度下也能確保可靠、無針孔封裝能力的關鍵優勢。此外,原子層沉積製程可以在中等溫度下運作。」

值得注意的是,2021年6月,陽明交大郭浩中教授團隊使用Picosun ALD設備沉積出鈍化層和阻隔膜,使UVC LED的使用壽命延長、可靠性增強,並改善LED昂貴的封裝程序,降低生產成本。

而Picosun與陽明交大保持著長期合作關係,並在2021年開展了第二期的合作計畫,持續在光電、半導體及生物醫學領域聯合開發ALD最新的技術應用。(LEDinside Irving編譯)

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