IR+UV EXPO 2015 第二天演講由理化學研究所主任研究員平山先生進行開場，半導體元件如LD與LED深紫外線的部分都是未來廠商積極開發的目標。波長250～350nm半導體紫外LD與紫外LED的應用備受期待，主要原因是紫外LED激發，而且驅動電路非常單純，可以獲得高演色性白光照明。目前UV LED在220-350nm高效率化上面臨到的問題主要分為三點: 第一、包括AlGaN 發光效率低-內部量子效率<1%；第二、AlGaN 的P極化困難-電子注入效率<20%；光取出效率低約8%。未來將透過低轉位密度AlN 的開發、In 組成變調，將內部量子提升到50~80%；多重量子障壁 (MQB)的改善也可將電子注入效率提升到>80%的效率；光取出效率(EQE)更可透過p-GaN轉換到透明的AlGaN接觸層並加以圖形化，改善未來也可期望達到最高20%的程度。
DOWA 為日本UV LED 晶片、封裝廠商，於研討會中不僅發表280nm深紫外線LED產品，20mA可達到2mW，若實際運用在微生物實驗上，照射10秒左右，可有效看見效果，預計當產品朝向260nm波長後，水殺菌或是手術器具表面殺菌效果應用將有相當市場。
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金澤大學 瀧健先生提到，目前UV樹脂固化LED應用中朝向奈米壓印，利用模具家出深寬100nm，並透過UV 樹脂固化後脫模，可達到奈米化圖案化襯底基板。對於LED產業市場持續朝向高效率LED的趨勢，是個相當好的未來趨勢。
錼創科技 (PlayNitride Inc.) 提供整合式服務，採用光源包含白光雷射與UV LED產品。由於採用雷射光源，照射距離可高達600公尺，最大照度為25公尺下可達到560lux，未來將應用在海上照明系統。
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同時錼創科技 (PlayNitride Inc.) 推出700W與1,900W UV LED 光源模組，分別採用氣冷式與水冷式系統，工作距離為70mm下，700W UV LED 光源模組的輻射照度(Typical Irradiance) 可達到2W/cm2；而1,900W UV LED 光源模組的輻射照度(Typical Irradiance) 可達到5W/cm2。產品應用包含UV 樹脂固化、油墨印刷。
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EPITEX 擁有40年的業界經驗，紫外線與紅外線LED晶片 (365nm-1,650nm)、封裝、模組產品開發與生產銷售。於展場上推出EDC與SMBB產品，使用陶瓷基板、矽膠 (Silicon) /環氧樹脂 (EPOXY)鏡片產品，發光角度可以客戶客製化從10°-60°。同時展出30W UV LED，使用2A、20V驅動。UV 氣冷式系統產品採用395nm波長，產品強調光的均勻性，應用於固化設備市場之中。
IR 產品850nm 產品可透過二次光學設計改變最後指向角度。由於光線更為均勻且強度更為集中，應用與多項應用之中。目前廣泛應用於安全控制系統與資料採集系統之中。
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UV LED市場發展持續成長的動力，除了UV LED產品效率與技術提升、系統整合能力外，光固化起始劑中UV 膠 廠商佔有相當重要的市場地位，主要廠商包或信越、Phoseon、Summers Optical 與 PARQIT。PARQIT主要波段~565nm，不斷持續開發不同波長範圍的UV環氧樹脂膠(EXPOXY)以及高反射率材料，硬化收縮率朝向1%，成本優勢為PARQIT主要產品優勢。
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