本次展會台灣廠商錼創 (Playnitride)展出Micro LED顯示器令在場參觀者驚豔。共分白光、綠色以及全彩3種色彩顯示。其中有0.89”顯示器應用於手錶上，ppi約為169，並使用藍色LED芯片+Phosphor色彩化方案。以及0.8”顯示器，提高顯示品質至230 ppi，搭配綠色LED芯片的單色方案。最後仍有展出全彩0.89”顯示器，使用RGB LED的芯片組合，約103 ppi。錼創期望未來持續在技術上提升，以朝向Micro LED顯示器商業化的路邁進。

另對於背板驅動專精的廠商和蓮光電(Jasper Display)，展出以Silicon為背板的Micro LED顯示器，目前顯示技術已發展至0.7”顯示尺寸可達4K解析度，雖為單色顯示但Pixel Size最小卻能達到3.74μm的高顯示效果。

Leti公司的Francois Templier提到，對於Micro-LED 應用在AR VR等穿戴使用的顯示器需具有高解析度與顯示面積小的高需求，因此對於LED芯片尺寸以及LED Pitch上將更加微縮。因此傳統Flip Chip Bumping最大極限約在15μm，若是在Wafer上分別在GaN Array上製作Micro Tube，在與基板bonding時，Micro Tube將直接插入接觸所對應的連接Pad，無需如錫球Bonding時，LED間距需預留距離避免金屬溢流短路，因此Micro Tube的應用將縮短LED bonding pitch。目前Leti已將此技術應用在單色顯示器上，Pixel Pitch約10μm，解析度873 x 500 Pixels。

(圖：LEDinside）

劉紀美教授指出micro LED未來隨著LED 芯片越來越小，除了轉移上的技術外，在LED的芯片製造品質上也需要穩定與成熟，因此才能提高產能，降低生產成本。在電路設計上，將盡可能以成熟的集成電路設計為主，方能尋找到最適合Micro LED驅動的方案。

目前劉紀美教授研發的Micro Display最小可達0.19”，1700 ppi，單色顯示方案。隨著LED微型化量子點的應用將不會缺席，因此劉教授的團隊也運用了量子點的技術達成全彩化，目前是採用噴墨印刷的方式將RGB 量子點均勻塗佈於Micro Display上，顯示器約3.6mm(L) x 3.6mm(W)，解析度約40 x 40 pixels。

(圖：LEDinside）

三安光電徐宸科副總指出Micro-LED相較於其他顯示方式如LCD、LCOS、DLP、OLED都佔有較高的評價，其中對於應用較廣OLED顯示應用上，Micro LED在亮度及信賴性上都更勝一籌外，又可以搭配軟性基板達成可彎曲的特性，因此三安光電對於Micro LED發展後勢看好且積極發展。目前三安光電已可組成RGB全彩Micro LED顯示器，其中RGB芯片的外部量子效率(EQE)預估依序為18%、30%、60%，未來仍持續提升當中。另徐宸科副總提到三安光電也可依客戶的需求提供晶片轉移、Bonding等方案，並搭配水平或垂直式電極LED晶片等技術服務。其中水平式電極的Flip Chip的晶片尺寸約可達30~100μm，垂直式電極晶片約可達10~100μm。

(圖：LEDinside）

上海大學的楊緒勇教授指出，QD應用在LED上的發展目前受限於價格以及壽命。而QD的材料價格不便宜，因此相關的應用易轉嫁到消費者身上易降低市場競爭力。在壽命上，約在100~1000小時不等。因此楊緒勇教授嘗試在QD加入了金屬氧化物薄膜，以增加QD的穩定性以增加其壽命。改善後測試可達16000小時(@100 nits)。將可為未來QD應用在LED上更邁進一步。

(圖：LEDinside）

文 Max / LEDinside