LEDinside 2012年7月11日報導，科銳公司（Nasdaq: CREE）宣佈推出具有革新性功率與頻寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化矽襯底氮化鎵基（GaN-on-SiC）裸晶片產品系列。該創新型產品系列能夠使得固態放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。

科銳無線射頻銷售與市場總監 Tom Dekker 表示：“與同頻率範圍的 GaAs 電晶體相比，科銳0.25微米GaN HEMT裸晶片產品系列擁有更顯著的增益、效率以及功率密度。更高的增益能夠實現更高效率的綜合功率方案，從而提升固態功率放大器在 C 波段、X 波段以及 Ku 波段的性能。”

主要的市場應用包括航海雷達、醫療成像、工業及衛星通信等領域。與 GaAs 電晶體相比，固態放大器具有更高的可靠性、更低的成本以及更卓越的效率，並且能夠縮小功率放大器和電源的體積。GaN HEMT 功率放大器的高效率能夠有效地降低發射機的功率消耗。

科銳無線射頻業務發展經理 Ray Pengelly 表示：“科銳0.25微米GaN HEMT產品擁有突破性的性能，效率和頻寬的顯著提高實現了GaAs電晶體所不能達到的電晶體性能水準。例如，開關模式的高功率放大器（HPA）能夠在微波頻率段提供超過80%的功率附加效率。在功率超過10W時，GaN HEMT HPA 的暫態頻寬可達6至18GHz。0.25微米 GaN 產品所提供的卓越性能使得系統工程師能夠重新設計 GaAs 電晶體和行波管。”