Veeco 與 ALLOS 攜手在日本 IWN 展示 200 mm 矽基氮化鎵外延片 microLED 突破成就

 

 

Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) 與 ALLOS Semiconductors GmbH 今日宣佈取得又一階段的合作成果,雙方共同努力,致力於為 microLED 生產應用提供業內領先的矽基氮化鎵外延片產品技術。兩家公司最近合作的宗旨是,在為全球範圍內多家傑出的消費類電子產品公司生產外延片的同時,展示 ALLOS 200 mm 矽基氮化鎵外延片產品技術在 Veeco Propel® MOCVD 反應器上的可複製性。

“要將 microLED 技術轉化為生產,僅依據單項指標展示主導價值是不夠的。我們必須確保每種外延片的整套規格都具有出色的可重複性和收益,”Veeco Compound Semiconductor 業務部門高級副總裁兼總經理 Peo Hansson 博士表示。“此次成功聯合再次肯定 Veeco 的優秀 MOCVD 專業知識與 ALLOS 矽基氮化鎵外延片產品技術強強結合,能夠為客戶提供經驗證的、可靠的創新方案,加速推進 microLED 應用。”

作為標準,傳統 LED 技術通過分類和分級實現波長一致性。但鑒於 microLED 尺寸小、數量多而無法分類和分級,因此,外延沉積的一致性變得更為重要。要使大批量生產 microLED 顯示器的承諾變成現實,最重要的成功要素在於實現極佳的發射波長一致性,這樣就不需要進行單獨的 microLED 晶片測試和分選。根據業內目標要求,外延片分級應介於 +/-1 nm(下限)和 +/-4 nm(上限)之間,取決於應用和傳質方法。通過合作專案,Veeco 和 ALLOS 通過標準差僅為 0.85 nm 的晶片進一步改善至關重要的波長一致性,這在生產系統方面屬於行業首例。

“Veeco 和 ALLOS 對晶片之間的可複製性進行了驗證,所有晶片的平均波長標準差為 1.21 nm,且峰值波長介於 +/-0.5 nm 範圍內。由此,我們朝著 +/-1 nm 外延片分級的目標又邁進一大步,”ALLOS 首席執行官 Burkhard Slischka 表示。“我們的技術已經可以在直徑 200 mm 的晶片上使用,這樣就能使用低成本、高收益的矽系列進行 microLED 晶片生產。此外,我們對於 300 mm 晶片應用已有清晰的發展藍圖。”

作為下一個重大技術轉變主題,microLED備受顯示器技術創新者的關注。根據LEDinside 分析,Micro LED 市場產值於2022 年將達31.8億美金。邊長小於 100 µm 的 microLED 技術被視作開發功耗更低的旗艦顯示器的重要驅動因素,相關技術承諾助長了這一樂觀情緒。但是,材料成本高、收益低以及 microLED 傳質技術產量一直阻礙著此類顯示器的開發。此次技術聯合有效地解決了這些挑戰,Veeco 和 ALLOS 將繼續與客戶合作,旨在進一步改善矽基氮化鎵外延片和 microLED 傳質技術。

2018 年 11 月 12 日,兩家公司將攜手在日本金澤市召開的國際氮化物半導體工作研討會 (IWN) 上詳細展示他們的突破成就。

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